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Wafer正反面定位標記重合誤差無損測量

硅基半導體Wafer、碲化鎘CdTe、碲鎘汞HgCdTe襯底 缺陷無損紅外檢測

對太陽能電池/組件加載電壓后，使之發光，再利用近紅外相機攝取其發光影像，因電致發光亮度正比于少子擴散長度，缺陷處因具有較低的少子擴散長度而發出較弱的光，從而形成較暗的影像。