半導體設備有哪些?

　　1、單晶爐

　　單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶硅的設備。在實際生產單晶硅過程中，它扮演著控制硅晶體的溫度和質量的關鍵作用。

　　由于單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉速、坩堝跟蹤速度、保護氣體流速等因素影響，其中生產的溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內在質量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知，單晶爐主要控制的方面包括晶體直徑、硅功率控制、泄漏率和氬氣質量等。

　　2、氣相外延爐

　　氣相外延爐主要是為硅的氣相外延生長提供特定的工藝環境，實現在單晶上生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體。外延生長是指在單晶襯底（基片）上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段，為了制造高頻大功率器件，需要減小集電極串聯電阻，又要求材料能耐高壓和大電流，因此需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層。

　　氣相外延爐能夠為單晶沉底實現功能化做基礎準備，氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝，其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續，而且與襯底的晶向保持對應的關系。

　　3、氧化爐

　　硅與含有氧化物質的氣體，例如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應，而在硅片表面產生一層致密的二氧化硅薄膜，這是硅平面技術中一項重要的工藝。氧化爐的主要功能是為硅等半導體材料進行氧化處理，提供要求的氧化氛圍，實現半導體預期設計的氧化處理過程，是半導體加工過程的*的一個環節。

　　4、磁控濺射臺

　　磁控濺射是物理氣相沉積的一種，一般的濺射法可被用于制備半導體等材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。在硅晶圓生產過程中，通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域，實現高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。

　　5、化學機械拋光機

　　一種進行化學機械研磨的機器，在硅晶圓制造中，隨著制程技術的升級、導線與柵極尺寸的縮小，光刻技術對晶圓表面的平坦程度的要求越來越高，

　　化學機械研磨亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。在實際制造中，它主要的作用是通過機械研磨和化學液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體（半導體）進行研磨拋光。

　　6、光刻機

　　又名掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等，常用的光刻機是掩膜對準光刻，一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。